Pусский 
30%TJ80SCA
YIM
| Количество: | |
|---|---|
солнечный элемент GaAs с тройным переходом
Солнечный элемент GaAs с тройным переходом состоит из нижнего элемента из германия (Ge), среднего элемента из индия-галлия-мышьяка (InGaAs) и верхнего элемента из галлия-индия-фосфора (GaInP2), соединенных последовательно, со структурой n/p-элемента.
Типичная эффективность фотоэлектрического преобразования составляет 30%, а типичные размеры составляют 144,3 мм x 68,5 мм x 0,24 мм.
Защитное стекло
Покровное стекло изготовлено из радиационно-стойкого покровного стекла с напыленной на поверхность пленкой MgF2, ширина краевого дефекта пленки MgF2 за счет механической обработки не превышает 0,5 мм, а общая площадь дефекта не превышает 5 % поверхности. общая площадь покровного стекла.
Типичные размеры покровного стекла составляют 144,45 мм x 68,65 мм x 0,12 мм.
Шунтирующие диоды
В обходных диодах используются кремниевые диоды.
В отсутствие света и при подаче тока короткого замыкания 1,2 Isc напряжение кремниевого диода во включенном состоянии составляет менее 1,0 В.
В отсутствие света и при приложенном обратном напряжении -4 В обратный ток утечки кремниевого диода составляет менее 10 мкА.
Типичные размеры: 17,3 мм x 9,5 мм x 0,19 мм.
Соединительные части
Соединительные детали представляют собой посеребренные межсоединения с наружным слоем серебра толщиной 30 мкм ± 5 мкм, чистота серебра не менее 99,95%.
Соединительный элемент имеет кольцо для снятия натяжения, которое не повреждено и не повреждено.
Кольца для снятия напряжения соединительной детали испытаны на усталость без разрушения.
Типичный размер 8,0 мм x 6,5 мм x 0,03 мм.
Масса
Вес ламинированной ячейки: 13 г ± 1,5 г.
Основные материалы | GaInP2/GaAs/Ge на подложке Ge |
оксидный слой | TiOX/Аль2O3 |
размер | 144,45 мм × 68,65 мм |
Эффективная площадь | 80см2 |
масса | 13,2±1,0 г |
толщина | 0,40 ± 0,05 мм |
Стеклянная накладка | Стеклянная крышка, устойчивая к облучению, 120 ± 20 мкм |
Соединительная полоса | КОВАР，35мкм |
Напряжение холостого хода Voc (мВ) | 2780 |
Плотность тока короткого замыкания Jsc (мА/см2) | 17.0 |
Оптимальное напряжение рабочей точки Vm (мВ) | 2470 |
Ток лучшей рабочей точки Jm (мА/см2) | 16.3 |
Эффективность преобразования η (1353 Вт/м2) | 30% |
солнечный элемент GaAs с тройным переходом
Солнечный элемент GaAs с тройным переходом состоит из нижнего элемента из германия (Ge), среднего элемента из индия-галлия-мышьяка (InGaAs) и верхнего элемента из галлия-индия-фосфора (GaInP2), соединенных последовательно, со структурой n/p-элемента.
Типичная эффективность фотоэлектрического преобразования составляет 30%, а типичные размеры составляют 144,3 мм x 68,5 мм x 0,24 мм.
Защитное стекло
Покровное стекло изготовлено из радиационно-стойкого покровного стекла с напыленной на поверхность пленкой MgF2, ширина краевого дефекта пленки MgF2 за счет механической обработки не превышает 0,5 мм, а общая площадь дефекта не превышает 5 % поверхности. общая площадь покровного стекла.
Типичные размеры покровного стекла составляют 144,45 мм x 68,65 мм x 0,12 мм.
Шунтирующие диоды
В обходных диодах используются кремниевые диоды.
В отсутствие света и при подаче тока короткого замыкания 1,2 Isc напряжение кремниевого диода во включенном состоянии составляет менее 1,0 В.
В отсутствие света и при приложенном обратном напряжении -4 В обратный ток утечки кремниевого диода составляет менее 10 мкА.
Типичные размеры: 17,3 мм x 9,5 мм x 0,19 мм.
Соединительные части
Соединительные детали представляют собой посеребренные межсоединения с наружным слоем серебра толщиной 30 мкм ± 5 мкм, чистота серебра не менее 99,95%.
Соединительный элемент имеет кольцо для снятия натяжения, которое не повреждено и не повреждено.
Кольца для снятия напряжения соединительной детали испытаны на усталость без разрушения.
Типичный размер 8,0 мм x 6,5 мм x 0,03 мм.
Масса
Вес ламинированной ячейки: 13 г ± 1,5 г.
Основные материалы | GaInP2/GaAs/Ge на подложке Ge |
оксидный слой | TiOX/Аль2O3 |
размер | 144,45 мм × 68,65 мм |
Эффективная площадь | 80см2 |
масса | 13,2±1,0 г |
толщина | 0,40 ± 0,05 мм |
Стеклянная накладка | Стеклянная крышка, устойчивая к облучению, 120 ± 20 мкм |
Соединительная полоса | КОВАР，35мкм |
Напряжение холостого хода Voc (мВ) | 2780 |
Плотность тока короткого замыкания Jsc (мА/см2) | 17.0 |
Оптимальное напряжение рабочей точки Vm (мВ) | 2470 |
Ток лучшей рабочей точки Jm (мА/см2) | 16.3 |
Эффективность преобразования η (1353 Вт/м2) | 30% |
