Pусский 
СК-3ГА-4
YIM
| Количество: | |
|---|---|
Солнечная батарея GaAs с тройным соединением 32% (40 см × 80 см)
Этот тип элемента представляет собой солнечный элемент GaInP2/GaAs/Ge на подложке Ge с тройным переходом (класс эффективности 32%).Солнечный элемент имеет активную площадь 30 см2.
Сборка солнечных элементов оснащена дискретным шунтирующим диодом Si, межконнекторами и защитным стеклом.
Солнечная батарея GaAs с тройным переходом
Функции
Солнечная батарея GaAs с тройным переходом состоит из Солнечная батарея GaAs с тройным соединением или солнечные панели с определенным способом электрической сборки. Характеристиками являются высокая выходная мощность, высокая сильная антирадиационная способность, широкий диапазон применения.
Приложения
LEO,MEO,GEO и исследования космического корабля
Опыт полета
спутники серии SJ, спутники серии GY.
Каждый продукт мы предоставим строгий отчет об испытаниях.
Сборка солнечных батарей GaAs с тройным переходом 32%
Этот тип ячейки представляет собой GaInP2Сборка солнечных элементов с тройным переходом /GaAs/Ge на подложке Ge (класс эффективности 32%).Сборка солнечных элементов оснащена дискретным шунтирующим диодом Si, межконнекторами и защитным стеклом.
1. Конструктивные и механические данные
Базовый материал | GaInP2/GaAs/Ge на подложке Ge |
AR-покрытие | TiOX/Аль2O3 |
Dimensions | (60,15±0,05)мм×(40,15±0,05)мм |
Площадь ячейки | 24,00 см2 |
Масса | 2,025 г |
Толщина | 0,161 мм |
покровное стекло | КФБ 120 |
Толщина покровного стекла | 120±20 мкм |
Межконнекторы (3× передняя сторона/1× диод) | Аг |
Толщина межсоединителя | 17 мкм |
2. Типовые электрические параметры (SCA)
Среднее значение Voc разомкнутой цепи (мВ) | 2650 |
Среднее значение короткого замыкания АО (мА/см2) | 19.1 |
Напряжение при макс.PowerVm (мВ) | 2350 |
Ток @ Макс.МощностьJm (мА/см2) | 18.45 |
Средняя эффективность ηголый (1353 Вт/м2) | 32% |
Средний коэффициент заполнения | 0.850 |
Стандарт: AM0, 1 солнце, 1353 Вт/м2, 25℃.
3. Радиационная деградация (флюенс 1 МэВ)
Параметры | 1×1015е/см2 |
Я / Я0 | 0.95 |
Вм/Вм0 | 0.88 |
вечера/вечера0 | 0.84 |
4. Приемочные значения (SCA)
Напряжение ВL | 2200 мВ |
Мин.средний ток Iл мин @ ВL | 540 мА |
Мин.индивидуальный ток IL авеню @ ВL | 520 мА |
5. Защита от теней (Дискретный обходной диод)
Vвперед(620 мА) | ≤1,0 В |
Iобеспечить регресс(4,0 В) | ≤0,2 мА |
6. Температурные коэффициенты (20℃～65℃)
Параметры | БОЛ | 1 МэВ, 5×1014е/см2 | 1 МэВ, 1×1015е/см2 | |
АО (мкА/см2/℃) | 11.0 | 10.0 | 13.0 | |
Voc (мВ/℃) | -5.9 | -6.1 | -6.3 | |
Jм (мкА/см2/℃) | 9.0 | 9.5 | 15.0 | |
Вм (мВ/℃) | -6.0 | -6.2 | -6.5 |
7. Пороговые значения
Поглощающая способность | ≤ 0,92 | |
Испытание на растяжение (при 45°) | ≥0,83 Н/мм2 | |
Положение дел | Квалифицированный |
Солнечная батарея GaAs с тройным соединением 32% (40 см × 80 см)
Этот тип элемента представляет собой солнечный элемент GaInP2/GaAs/Ge на подложке Ge с тройным переходом (класс эффективности 32%).Солнечный элемент имеет активную площадь 30 см2.
Сборка солнечных элементов оснащена дискретным шунтирующим диодом Si, межконнекторами и защитным стеклом.
Солнечная батарея GaAs с тройным переходом
Функции
Солнечная батарея GaAs с тройным переходом состоит из Солнечная батарея GaAs с тройным соединением или солнечные панели с определенным способом электрической сборки. Характеристиками являются высокая выходная мощность, высокая сильная антирадиационная способность, широкий диапазон применения.
Приложения
LEO,MEO,GEO и исследования космического корабля
Опыт полета
спутники серии SJ, спутники серии GY.
Каждый продукт мы предоставим строгий отчет об испытаниях.
Сборка солнечных батарей GaAs с тройным переходом 32%
Этот тип ячейки представляет собой GaInP2Сборка солнечных элементов с тройным переходом /GaAs/Ge на подложке Ge (класс эффективности 32%).Сборка солнечных элементов оснащена дискретным шунтирующим диодом Si, межконнекторами и защитным стеклом.
1. Конструктивные и механические данные
Базовый материал | GaInP2/GaAs/Ge на подложке Ge |
AR-покрытие | TiOX/Аль2O3 |
Dimensions | (60,15±0,05)мм×(40,15±0,05)мм |
Площадь ячейки | 24,00 см2 |
Масса | 2,025 г |
Толщина | 0,161 мм |
покровное стекло | КФБ 120 |
Толщина покровного стекла | 120±20 мкм |
Межконнекторы (3× передняя сторона/1× диод) | Аг |
Толщина межсоединителя | 17 мкм |
2. Типовые электрические параметры (SCA)
Среднее значение Voc разомкнутой цепи (мВ) | 2650 |
Среднее значение короткого замыкания АО (мА/см2) | 19.1 |
Напряжение при макс.PowerVm (мВ) | 2350 |
Ток @ Макс.МощностьJm (мА/см2) | 18.45 |
Средняя эффективность ηголый (1353 Вт/м2) | 32% |
Средний коэффициент заполнения | 0.850 |
Стандарт: AM0, 1 солнце, 1353 Вт/м2, 25℃.
3. Радиационная деградация (флюенс 1 МэВ)
Параметры | 1×1015е/см2 |
Я / Я0 | 0.95 |
Вм/Вм0 | 0.88 |
вечера/вечера0 | 0.84 |
4. Приемочные значения (SCA)
Напряжение ВL | 2200 мВ |
Мин.средний ток Iл мин @ ВL | 540 мА |
Мин.индивидуальный ток IL авеню @ ВL | 520 мА |
5. Защита от теней (Дискретный обходной диод)
Vвперед(620 мА) | ≤1,0 В |
Iобеспечить регресс(4,0 В) | ≤0,2 мА |
6. Температурные коэффициенты (20℃～65℃)
Параметры | БОЛ | 1 МэВ, 5×1014е/см2 | 1 МэВ, 1×1015е/см2 | |
АО (мкА/см2/℃) | 11.0 | 10.0 | 13.0 | |
Voc (мВ/℃) | -5.9 | -6.1 | -6.3 | |
Jм (мкА/см2/℃) | 9.0 | 9.5 | 15.0 | |
Вм (мВ/℃) | -6.0 | -6.2 | -6.5 |
7. Пороговые значения
Поглощающая способность | ≤ 0,92 | |
Испытание на растяжение (при 45°) | ≥0,83 Н/мм2 | |
Положение дел | Квалифицированный |
